NVMFWS003P03P8ZT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NVMFWS003P03P8ZT1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | PFET SO8FL -30V 3MO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.68 |
10+ | $2.407 |
100+ | $1.9347 |
500+ | $1.5896 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 23A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.9W (Ta), 168.7W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount, Wettable Flank |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12120 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35.7A (Ta), 234A (Tc) |
MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
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PTNG 100V LL SO8FL
PTNG 100V LL SO8FL
PTNG 100V LL SO8FL
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2024/08/24
2024/05/13
2024/03/20
2024/12/26
NVMFWS003P03P8ZT1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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